Pat

J-GLOBAL ID：200903093765396399

縦型電界効果トランジスタ

Inventor： 萩本 佳三
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993075918
Publication number (International publication number)：1994291322
Application date： Apr. 01, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】逆方向耐圧を低下させずにオン抵抗を低減する。【構成】逆方向耐圧を決定する外周ガードリング7のジャンクション深さに対して素子部のベース領域3及びその周囲に設けたP型拡散領域10のジャンクション深さをガードリング7のジャンクション深さよりも浅く形成する。

Claim (excerpt)：

高不純物濃度の一導電型半導体基板上に設けた低不純物濃度の一導電型半導体層と、前記一導電型半導体層の表面に設けた逆導電型のベース領域と、前記ベース領域内に設けた一導電型のソース領域と、前記ベース領域を含む素子領域の外周を取囲んで前記一導電型半導体層の表面に設け且つ前記ソース領域と電気的に接続した前記ベース領域と同等の拡散深さを有する逆導電型拡散層と、前記逆導電型拡散層の外周を取囲んで前記一導電型半導体層の表面に設け且つ前記ベース領域よりも深い拡散深さを有する逆導電型のガードリングとを有することを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。

FI (2)：

H01L 29/78 321 S ,  H01L 29/78 321 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-265570
  
• 特開昭60-249367
  
• 特開平3-173180
  
• 特開昭63-177566