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J-GLOBAL ID：200903093771234244

導波路

Inventor： 服部 哲也
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992001505
Publication number (International publication number)：1993188227
Application date： Jan. 08, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 導波路の耐湿性を高める。【構成】 Si基板110にクラッド層120b及び導波路パターン180を形成する(図1(a)(b))。そして、プラズマCVDにより耐湿性の高いSiN(チッ化ケイ素)膜220を3000オングストローム形成する(図1(c))。つぎに、FHDまたはCVDにてコア層150よりも低屈折率としたSiO2 のクラッド層120bを堆積し焼結し、導波路パターン180を埋め込む(図1(d))。その後、再びプラズマCVDによりSiN膜230を形成してもよい(図1(e))。これによって、導波路パターン180をコアとする導波路が形成される。

Claim (excerpt)：

コアと、このコアよりも屈折率の小さいクラッドと、前記コアと前記クラッドとの間に耐湿膜とを有することを特徴とする導波路。