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J-GLOBAL ID：200903093771365756

異方導電性フィルム

Inventor： 山口 美穂 ,  三隅 貞仁 ,  堀田 祐治
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001078456
Publication number (International publication number)：2002279830
Application date： Mar. 19, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】 回路基板の劣化が生じることのない低温の熱圧着作業によって、電子部品および回路基板に強固に接着して良好な導通状態を形成し得る異方導電性フィルムを提供する。【解決手段】 フィルム基板1A中に複数の導通路2が該フィルム基板の厚み方向に貫通し、各導通路の両端部2a、2bがフィルム基板の表裏面に露出した構成の異方導電性フィルムにおいて、フィルム基板1Aを下記式(I)で表される構造を有するポリカルボジイミド共重合体を主体に構成する。【化1】(式中、mは2〜50の整数、nは1〜30の整数、xは1〜10の整数、Aはウレタン結合、R1はアルキレン基、R2は芳香族ジイソシアネート残基、R3は芳香族物モノイオシアナート残基を表す。)

Claim (excerpt)：

絶縁性樹脂からなるフィルム基板中に複数の導通路が互いに絶縁されて該フィルム基板の厚み方向に貫通してなる異方導電性フィルムであって、前記フィルム基板が下記式(I)で表される構造を有するポリカルボジイミド共重合体を主体に構成されてなることを特徴とする異方導電性フィルム。【化1】(式中、mは2〜50の整数、nは1〜30の整数、xは1〜10の整数、Aはウレタン結合、R1はアルキレン基、R2は芳香族ジイソシアネート残基、R3は芳香族物モノイソシアネート残基を表す。)

IPC (6)：

H01B 5/16 ,  C08G 18/02 ,  C09J179/00 ,  H01R 11/01 501 ,  H01L 21/60 311 ,  H05K 3/32

FI (6)：

H01B 5/16 ,  C08G 18/02 ,  C09J179/00 ,  H01R 11/01 501 G ,  H01L 21/60 311 S ,  H05K 3/32 B

F-Term (36)：

4J034AA05 ,  4J034HA01 ,  4J034HC12 ,  4J034HC13 ,  4J034HC64 ,  4J034HC67 ,  4J034HC70 ,  4J034HC71 ,  4J034JA43 ,  4J034QB03 ,  4J034QB07 ,  4J034QC08 ,  4J034QD06 ,  4J034RA14 ,  4J040EH031 ,  4J040GA20 ,  4J040LA02 ,  4J040LA06 ,  4J040LA08 ,  4J040LA09 ,  4J040MB03 ,  4J040NA20 ,  5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319AC01 ,  5E319AC02 ,  5E319BB16 ,  5E319BB20 ,  5E319CD51 ,  5E319GG20 ,  5F044LL09 ,  5F044NN05 ,  5F044NN19 ,  5G307HA02 ,  5G307HB03 ,  5G307HC01