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J-GLOBAL ID：200903093800686435

Cu-Ga合金スパッタリングターゲット及びその製造方法

Inventor： 萩原 淳一郎 ,  東 秀一 ,  筒井 努 ,  吉留 洋一
Applicant, Patent owner： 真空冶金株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998244011
Publication number (International publication number)：2000073163
Application date： Aug. 28, 1998
Publication date： Mar. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】実用的で成形可能な信頼性の高い薄膜太陽電池用のCu-Ga合金或いはCu-Ga-In合金のスパッタリングターゲットを提供すること及びその製造方法を提供すること【解決手段】Cu-Ga合金であってそのGaの組成を15重量%乃至70重量%として溶解法により鋳造した。Cu-Ga合金であってそのGaの組成が15重量%乃至70重量%として溶解法により鋳造したインゴットの表面に、インゴットに対する組成が0.1重量%〜60重量%で溶解により島状に形成されたIn部分を設ける。このインゴットは、加熱手段と冷却手段を備えたモールド8により脆性割れを生じない冷却速度に温度制御して溶解法により鋳造され、Inを添加する場合、その表面に空孔を形成してその中へInをその組成が0.1重量%〜60重量%になるように注入して製造する。

Claim (excerpt)：

Cu-Ga合金であってそのGaの組成を15重量%乃至70重量%として溶解法により鋳造したことを特徴とするCu-Ga合金スパッタリングターゲット。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C22C 9/00

FI (2)：

C23C 14/34 A ,  C22C 9/00

F-Term (10)：

4K029BA10 ,  4K029BA21 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4K029DC12 ,  4K029DC15