Pat
J-GLOBAL ID：200903093822991339
半導体製造装置
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
伊東 忠彦
, 大貫 進介
, 伊東 忠重
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004356600
Publication number (International publication number)：2005197672
Application date： Dec. 09, 2004
Publication date： Jul. 21, 2005
Summary：
【課題】 アンテナに高圧の電源が印加されて高密度のプラズマが発生される場合にも容易にドームの温度を所定の基準温度範囲に一定に維持することができる。【解決手段】 基板を受容する受容空間を形成するチャンバ本体及びドームと、前記ドームの上側に設けられて前記受容空間にプラズマを発生させるアンテナと、前記ドームの上側に設けられて前記ドームの温度を調節する温度調節ユニットとを備えた半導体製造装置において、前記温度調節ユニットは、前記ドームの上側に前記ドーム及び前記アンテナと隣接に設けられた熱伝達部材と;前記熱伝達部材の上側に設けられて前記ドームを加熱させるためのヒーターと;前記熱伝達部材と前記ヒーターとの間に設けられて前記ドームを冷却させる冷却部材と;前記冷却部材に対して結合されて前記ドームが所定の基準温度範囲を維持するように前記冷却部材に供給される冷却剤の量を調節する調節弁とを含む。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
基板を受容する受容空間を形成するチャンバ本体及びドームと、前記ドームの上側に設けられて前記受容空間にプラズマを発生させるアンテナと、前記ドームの上側に設けられて前記ドームの温度を調節する温度調節ユニットとを備えた半導体製造装置において、
前記温度調節ユニットは、
前記ドームの上側に前記ドーム及び前記アンテナと隣接に設けられた熱伝達部材と;
前記熱伝達部材の上側に設けられて前記ドームを加熱させるためのヒーターと;
前記熱伝達部材と前記ヒーターとの間に設けられて前記ドームを冷却させる冷却部材と;
前記冷却部材に対して結合されて前記ドームが所定の基準温度範囲を維持するように前記冷却部材に供給される冷却剤の量を調節する調節弁とを含むことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (14)：
4K030FA04
, 4K030JA05
, 4K030JA10
, 4K030JA16
, 4K030KA08
, 4K030KA22
, 4K030KA26
, 4K030KA41
, 5F045AA08
, 5F045EH02
, 5F045EH11
, 5F045EJ05
, 5F045EJ09
, 5F045EK06
Cited by examiner (3)
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平行板電極プラズマリアクタ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-309698
Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
-
熱処理装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-307197
Applicant：東京エレクトロン相模株式会社
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プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-258243
Applicant：株式会社日立製作所
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