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J-GLOBAL ID：200903093842123635

プラズマCVD方法及び装置

Inventor： 原 民夫 ,  浜垣 学 ,  青柳 克信 ,  龍治 真 ,  伴 雅人 ,  東海 正國
Applicant, Patent owner： 理化学研究所 ,  川崎重工業株式会社
Agent (1)： 富田 幸春
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994165751
Publication number (International publication number)：1996013151
Application date： Jun. 27, 1994
Publication date： Jan. 16, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】ウエハ等のワークに対するプラズマCVD装置による膜のコーティング処理において良質な膜を高速で低コストで生産性良く形成するようにする。【構成】プラズマCVD装置1''' においてプラズマ生成領域のチャンバ2に対し同心的に電子ビームガン16を前設し、電子ビーム35のエネルギーを高くし、供給する混合ガスを電離し難いガスについて加速電極25寄りのポート29から供給し、電離し易いガスについては離れたポート30から供給し、プローブ34により形成されるイオンやラジカルの量を検出して加速電源20' にフイードバックし、電子ビームのエネルギーをコントロールし、且つ、逆磁場コイル31の電流を制御して無磁場化し、電離するガス中の2次反応生成物が少い良質な成膜を高速で形成するようにする。

Claim (excerpt)：

金属又は非金属化合物気体を電気的に解離して分子,原子の活性種及びイオンをワーク面に堆積,成膜させるプラズマCVD方法において、イオン生成領域中の混合ガスに対し電子ビームガンからの加速された電子ビームを放射するようにすることを特徴とするプラズマCVD方法。

IPC (5)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/48 ,  H01J 27/20 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/317

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-105540
  
• 特開平2-205684
  
• 非晶質シリコン合金膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-269700   Applicant：日本板硝子株式会社