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J-GLOBAL ID：200903093851768878

ダイヤモンドのドーピング

Inventor： ヨハン フランス プリンス
Applicant, Patent owner： デ ビアス インダストリアル ダイアモンド デイビジヨン (プロプライエタリイ) リミテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993173554
Publication number (International publication number)：1994166594
Application date： Jun. 07, 1993
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高濃度のドーピング原子をもダイヤモンドの中に導入し、更に、ダイヤモンドの外表面から損傷深さまで均質な荒らされた層を形成する方法を提供すること。【構成】 ドーピングされたダイヤモンドを製造する方法において、(a)低温での少量イオン注入を使用しながら、ダイヤモンドの結晶格子内に空孔及び侵入型原子の形態で、点欠陥の荒らされた層を形成する工程と、(b)低温での少量イオン注入を使用しながら、該荒らされた層の中にドーピング原子を導入する工程と、(c)工程(b)の生成物を急速にアニーリングして格子損傷を減らし、侵入型ドーピング原子を格子位置に拡散させる工程と、(d)望ましい量のドープ剤を有するドーピングされたダイヤモンドが製造されるまで、工程(a)〜(c)を繰り返す工程とを含む上記製造方法。

Claim (excerpt)：

ドーピングされたダイヤモンドを製造する方法において、(a) 低温での少量イオン注入を使用しながら、ダイヤモンドの結晶格子内に空孔及び侵入型原子の形態で、点欠陥の荒らされた層を形成する工程と、(b) 低温での少量イオン注入を使用しながら、該荒らされた層の中にドーピング原子を導入する工程と、(c) 工程(b)の生成物を急速にアニーリングして格子損傷を減らし、侵入型ドーピング原子を格子位置に拡散させる工程と、(d) 望ましい量のドープ剤を有するドーピングされたダイヤモンドが製造されるまで、工程(a)〜(c)を繰り返す工程とを含む、上記製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/04 ,  C30B 31/22 ,  H01L 21/265

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭61-291973