Pat
J-GLOBAL ID：200903093855175650
FETセンサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 弘男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993062673
Publication number (International publication number)：1994249825
Application date： Feb. 26, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：
【要約】【目的】 電流計や電圧計などの測定器や、電流-電圧変換回路や増幅回路などの付属回路を必要とせず、FETセンサ自体で、ガスやイオンなどの濃度を検出するとともに外部に大きな電圧信号として出力することができるFETセンサを提供する。【構成】 P型FET2のドレイン端子とN型FET3のドレイン端子とを点5で接続し、検出すべき物質の濃度に応じた電圧を点5に接続した端子9から出力する。
Claim (excerpt)：
検出すべき物質に感応する感応膜を有するP型FETと、前記検出すべき物質に感応する感応膜を有するN型FETとを備え、前記P型FETのゲート端子および前記N型FETのゲート端子にバイアス電圧を印加し、前記P型FETのドレイン端子と前記N型FETのドレイン端子とを接続し、該接続点から前記検出すべき物質の濃度に応じた電圧を出力するようにしたことを特徴とするFETセンサ。
FI (2)：
G01N 27/30 301 X
, G01N 27/30 301 R
