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J-GLOBAL ID：200903093855970353
膜の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996122182
Publication number (International publication number)：1997289203
Application date： Apr. 19, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：
【要約】【課題】 クラックのない膜を効率的に形成することができる方法を提供する。【解決手段】 SiO2 膜15を形成した後または形成済のSiO2 膜15上に更に別の膜を形成する際に、リフトピン13でSiウェハ14をウェハステージ11から離間させ且つウェハステージ11に対向させた状態で保持する。このため、Siウェハ14をウェハステージ11から離間させるのみでウェハステージ11に対向させた状態で保持しない場合よりは緩やかであるが、ウェハステージ11自体の温度を変更する場合よりは速やかに、SiO2 膜15が形成された後のSiウェハ14を徐々に冷却または加熱することができる。
Claim (excerpt)：
載置台上に基板を載置した状態でこの基板上に膜を形成する膜の形成方法において、前記形成の後に前記基板を前記載置台から離間させ且つこの載置台に対向させた状態で保持することを特徴とする膜の形成方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/31 C
, H01L 21/316 X
