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J-GLOBAL ID：200903093869157558

基板上に金属酸化物の薄膜を生成させる方法

Inventor： ジヨン レイモンド ガバラー ,  テイモシー タレク ブラギンズ
Applicant, Patent owner： ウエスチングハウス・エレクトリツク・コーポレイシヨン
Agent (1)： 加藤 紘一郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992088161
Publication number (International publication number)：1993116940
Application date： Mar. 12, 1992
Publication date： May. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】 良好で再現性のある超電導特性を示すYBa2Cu3O7薄膜を得るスパッタリング方法を提供する。【構成】 O2及び全水蒸気圧が0.3Pa〜26.6Paになるよう追加されたH2O蒸気を含むスパッタリング・ガスが封入されている非加熱式の密閉反応器(10)内でスパッタリングにより蒸着された超電導薄膜を得るため、酸化銅を基材とするターゲット材料(15)を用い、蒸着基板(16)を550°C〜800°Cに維持する。

Claim (excerpt)：

O2及び約0.1Paよりも低い圧力の残留不純物であるH2O蒸気を含むスパッタリング・ガスが封入されている密閉反応器内で酸化銅を基材とするターゲット材料を加熱状態の基板上にスパッタ蒸着させることにより金属酸化物の薄膜を基板上に生成させる方法において、スパッタリング・ガスは、反応器内の全H2O蒸気圧を、残留不純物であるH2O蒸気よりも高く且つ最高26.6Paにする追加のH2O蒸気を含み、超電導特性を示す、銅酸化物を基材とする薄膜を、約550°C〜800°Cの基板温度で現場蒸着させ、それにより、ターゲットが相当程度浸食しても、蒸着が経時的に続いているとき、蒸着薄膜の限界温度値はそれによる影響を大して受けないことを特徴とする方法。

IPC (4)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C23C 14/08 ZAA ,  C23C 14/34 ZAA