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J-GLOBAL ID：200903093871879110

半導体装置およびその製造方法

Inventor： ▲高▼谷 信一郎 ,  内山 博幸 ,  ▲高▼澤 浩幸 ,  山本 清二 ,  持地 広造
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995144715
Publication number (International publication number)：1996340105
Application date： Jun. 12, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体装置の製造に際し、ドライエッチングを行った半導体表面の特性劣化を抑制する。【構成】半導体装置を気相または真空中でエッチング加工したのち、空気に触れることなく上記加工表面を窒化して、窒化物層3を形成する。

Claim (excerpt)：

III-V族半導体電界効果型トランジスタにおいて、III族元素の窒化物を主成分とする窒化物層が、ゲート電極下部の半導体との界面およびゲート電極とソース、ドレイン低抵抗領域との間のIII-V族半導体表面の両方に、連続して形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (9)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (6)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 21/318 A ,  H01L 21/302 Z ,  H01L 21/302 F ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 H