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J-GLOBAL ID：200903093880724952

導電体およびその製造方法

Inventor： 中尾 祥一郎 ,  山田 直臣 ,  一杉 太郎 ,  長谷川 哲也
Applicant, Patent owner： 財団法人神奈川科学技術アカデミー ,  旭硝子株式会社
Agent (4)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008078042
Publication number (International publication number)：2009231213
Application date： Mar. 25, 2008
Publication date： Oct. 08, 2009
Summary：

【課題】導電性が良好であるとともに、耐熱性に優れた導電体およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板10上に、Nb、Ta、Mo、As、Sb、W、N、F、S、Se、Te、Cr、Ni、Tc、Re、P及びBiからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパントが添加された酸化チタンからなる層(Z)が2層以上設けられており、該2層以上のうち少なくとも1層は、チタンとドーパントの原子数合計に対するドーパントの原子数の割合が0.01〜4原子%である第2層(Z2)12であり、該第2層(Z2)12と基板10との間に、該第2層(Z2)よりも、前記チタンとドーパントの原子数合計に対するドーパントの原子数の割合が多い第1層(Z1)11が設けられていることを特徴とする導電体。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に、Nb、Ta、Mo、As、Sb、W、N、F、S、Se、Te、Cr、Ni、Tc、Re、P及びBiからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパントが添加された酸化チタンからなる層(Z)が2層以上設けられており、 該2層以上のうち少なくとも1層は、チタンとドーパントの原子数合計に対するドーパントの原子数の割合が0.01〜4原子%である第2層(Z2)であり、 該第2層(Z2)と基板との間に、該第2層(Z2)よりも、前記チタンとドーパントの原子数合計に対するドーパントの原子数の割合が多い第1層(Z1)が設けられていることを特徴とする導電体。

IPC (3)：

H01B 5/14 ,  H01B 13/00 ,  C23C 14/08

FI (3)：

H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B ,  C23C14/08 N

F-Term (20)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA48 ,  4K029BB02 ,  4K029BB10 ,  4K029BC09 ,  4K029CA02 ,  4K029CA06 ,  4K029DB20 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029GA01 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC06 ,  5G307FC09 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 国際公開第2006/016608号パンフレット
  
• 透明電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-252205   Applicant：三井化学株式会社