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J-GLOBAL ID：200903093881418138

有機半導体及びそれを用いた半導体装置並びにそれらの製造方法

Inventor：
林 靖彦

About 林 靖彦


Applicant, Patent owner：
独立行政法人科学技術振興機構

About 独立行政法人科学技術振興機構


Agent (2)： 平山 一幸 ,  海津 保三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004079094
Publication number (International publication number)：2005268550
Application date： Mar. 18, 2004
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：
【課題】 簡単な構成により低コストで、p型としてもn型としても構成され、さらに電流駆動能力が高い高分子材料系の有機薄膜、それを用いた半導体装置並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 基板11上に形成したチャネルとなる有機半導体層16を備えた電界効果トランジスタ10であって、有機半導体層16が、ポリフェニレンビニレンの誘導体またはポリチオフェン系高分子材料からなる第1の材料と、Cn フラーレン(ここで、nは60以上の整数)、Cn フラーレン誘導体、半導体性を有するCNTs(カーボンナノチューブ)、CNTs化合物の少なくとも1種類からなる第2の材料と、の混合体から成る。有機半導体層16は塗布成膜法により製造でき、しかも、その導電型を制御できる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ポリフェニレンビニレンの誘導体またはポリチオフェン系高分子材料からなる第1の材料と、Cn フラーレン(ここで、nは60以上の整数),Cn フラーレン誘導体,半導体性を有するCNTs(カーボンナノチューブ),CNTs化合物の少なくとも1種類からなる第2の材料と、の混合体から構成されていることを特徴とする、有機半導体。
IPC (8)：
H01L29/786 ,  C08K7/06 ,  C08K7/18 ,  C08L65/00 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L31/10 ,  H01L51/00
FI (9)：
H01L29/78 618B ,  C08K7/06 ,  C08K7/18 ,  C08L65/00 ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28 ,  H01L31/10 E
F-Term (43)：
4J002CE001 ,  4J002DA016 ,  4J002FA066 ,  4J002FA096 ,  4J002FD206 ,  4J002GQ05 ,  5F048AA08 ,  5F048AA09 ,  5F048AC04 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB04 ,  5F048BB11 ,  5F048BF07 ,  5F049PA12 ,  5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE08 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF22 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF35 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110NN01 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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