ポリカルボシランから生じた低誘電率ポリオルガノシリコンコーティング

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：社本一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001502153
Publication number (International publication number)：2003501518
Application date： Jun. 07, 2000
Publication date： Jan. 14, 2003
Summary：

【要約】ポリオルガノ誘電コーティングが、特定のポリカルボシラン類を熱又は高エネルギー処理して、低k誘電特性を有する架橋ポリオルガノシリコンコーティングを生じさせる。その熱プロセスは、多段階の継続的に増加する温度加熱段階を包含している。その製造されたポリオルガノシリコンポリマーは、誘電内結合物質及び半導体装置における導線用のフィルムコーティングとして使用される。これらのポリオルガノフィルムコーティングは、比較的熱安定性の追加特徴及び基体表面への優れた付着性を有する。

Claim (excerpt)：

電気絶縁性のポリオルガノシリコン物質の製造方法であつて、 a) 次の一般式のポリカルボシランを準備し:【化1】 (R<SB>1</SB>、R<SB>7</SB>及びR<SB>10</SB>の各々が別個に置換又は非置換アルキレン、シクロアルキレン、又はアリーレン基を表し、 R<SB>2</SB>、R<SB>3</SB>、R<SB>4</SB>、R<SB>5</SB>、R<SB>8</SB>及びR<SB>9</SB>の各々が別個に水素原子又は有機基を表し、 R<SB>6</SB>がオルガノシリコン、シラニル(silanyl)、シロキシル(siloxyl)、又はオルガノ基を表し、 x、y、z及びwが[10<x+y+z+w<100,000]の条件を満たし、そして z及びwが一まとめにして又は別個に0であることができる)、 b) ポリカルボシラン被覆基体を制御された条件下で熱又は高エネルギー源にもたらし、そのポリカルボシランの相互作用(interaction)及び架橋を生起させて、4以下の誘電率を有するポリオルガノシリコン物質を形成することからなる方法。

IPC (3)：

C09D183/16 , C08G 77/60 , H01L 21/312

FI (3)：

C09D183/16 , C08G 77/60 , H01L 21/312 C

F-Term (16)：

4J035JA02 , 4J035JB01 , 4J035JB02 , 4J035LB01 , 4J038DL171 , 4J038LA05 , 4J038NA12 , 4J038NA14 , 4J038NA21 , 4J038PA19 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG09 , 5F058AH02 , 5F058AH03

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