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J-GLOBAL ID：200903093896215039
磁気抵抗効果素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993021000
Publication number (International publication number)：1994236524
Application date： Feb. 09, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：
【要約】【目的】 バルクハウゼンノイズの無い優れた特性の磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。【構成】 窒素を含有するFe-Ni系の磁気抵抗効果薄膜4と結晶配向が(111)のFe-Ni系の磁気抵抗効果薄膜5とFe-Mn系の反強磁性薄膜6の3層構造とした磁気抵抗効果素子。【効果】 交換バイアス磁界が大きくなりバルクハウゼンノイズの抑制された優れた再生出力波形の磁気抵抗効果素子が得られる。
Claim (excerpt)：
窒素を含有するFe-Ni系の第1の磁気抵抗効果薄膜と、前記第1の磁気抵抗効果薄膜に積層された結晶配向が(111)のFe-Ni系の第2の磁気抵抗効果薄膜と、前記第2の磁気抵抗効果薄膜に積層されたFe-Mn系の反強磁性薄膜とより構成されたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (2)：
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