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J-GLOBAL ID：200903093897468089

半導体ダイヤモンドの製造方法

Inventor： 北畠 真
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991186079
Publication number (International publication number)：1993024991
Application date： Jul. 25, 1991
Publication date： Feb. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 p型、n型の半導体ダイヤモンドを得るため、イオン打ち込み後の損傷を回復できる効率的な熱処理法を与える。【構成】 イオン打ち込みされたダイヤモンド結晶1にレーザー光線2を照射し熱処理する。イオン打ち込みされたダイヤモンドは多くの損傷(格子欠陥)を含みこの欠陥の部分でレーザー光線が吸収され、選択的に加熱される。

Claim (excerpt)：

炭素以外の粒子を打ち込まれたダイヤモンドを、レーザー光線を用いて熱処理することを特徴とする半導体ダイヤモンドの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭55-034495
  
• 特開昭60-246627