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J-GLOBAL ID：200903093898733428

半導体レーザ素子

Inventor： 菅 康夫 ,  細田 昌宏 ,  ▲高▼橋 向星 ,  角田 篤男 ,  谷 健太郎
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992193875
Publication number (International publication number)：1994045683
Application date： Jul. 21, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザ素子の利得領域よりも光の分布幅を広げる。これにより、自励発振を生じさせて、低雑音特性を実現する。【構成】 基板11上に、n型AlInPクラッド層13、GaInP活性層14、p型AlInPクラッド層15を順に設ける。クラッド層15の上部にリッジ20を形成するとともに、リッジ20の両側にn型GaAs電流狭窄層19を設ける。リッジ20の側面と電流狭窄層19との間に、上部クラッド層15と略等しい平均屈折率を有する多層成長層18を設ける。多層成長層18は、上部クラッド層15よりも大きい屈折率を有するAl0.4Ga0.6As層と、上部クラッド層15よりも小さい屈折率を有するAlAs層とを複数積層して構成する。

Claim (excerpt)：

基板上に、所定の組成からなる下部クラッド層、活性層および上部クラッド層を順に設け、上記上部クラッド層の上部にストライプ状のリッジを形成するとともに、このリッジの両側に電流狭窄層を設けて、上記活性層のうち上記リッジの下に相当する部分がレーザ発振するようにした半導体レーザ素子において、上記リッジの側面と上記電流狭窄層との間に、上記上部クラッド層よりも大きい屈折率を有する半導体層と上記上部クラッド層よりも小さい屈折率を有する半導体層とを複数積層してなり、上記上部クラッド層と略等しい平均屈折率を有する多層成長層を設けたことを特徴とする半導体レーザ素子。