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J-GLOBAL ID：200903093901954074
半導体不揮発性記憶装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993097306
Publication number (International publication number)：1994290591
Application date： Mar. 31, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】折り返しビット線方式を採用でき、読み出し時間などの高速化を図れる半導体不揮発性記憶装置を実現する。【構成】ビット線BLおよび反ビット線BL をセンスアンプSAfに対して並列接続してなる差動型センス方式を採用する半導体不揮発性記憶装置において、ワード線WLおよびビット線BLに接続された第1のメモリセルMC1と、第1のメモリセルMC1と共通のワード線WLに接続されるととも、反ビット線BLに接続された第2のメモリセルMC2と、読み出し動作時に、ビット線BLおよび反ビット線BL のうちいずれか一方のビット線の電位を第1の電位に保持させるとともに、他方のビット線の電位を第1の電位と差を持たせた第2の電位に所定時間設定する回路BVAを設ける。これにより、折り返しビット線方式を採用できる。
Claim (excerpt)：
第1および第2のビット線をセンスアンプに対して並列接続してなる差動型センス方式を採用する半導体不揮発性記憶装置であって、ワード線および第1のビット線に接続された第1のメモリセルと、上記第1のメモリセルと共通のワード線に接続されるととも、第2のビット線に接続された第2のメモリセルと、所定動作時に、第1および第2のビット線のうちいずれか一方のビット線の電位を第1の電位に保持させるとともに、他方のビット線の電位を第1の電位と差を持たせた第2の電位に所定時間設定する手段とを有することを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。
IPC (2)：
FI (2)：
G11C 17/00 309 B
, H01L 27/10 434
