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J-GLOBAL ID：200903093909515762

多孔性シリカ薄膜

Inventor： 花畑 博之 ,  井岡 崇明
Applicant, Patent owner： 旭化成株式会社
Agent (1)： 武井 英夫 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999300719
Publication number (International publication number)：2001122611
Application date： Oct. 22, 1999
Publication date： May. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】 低吸湿性で、機械的強度の優れた多孔性シリカ薄膜を提供する。【解決手段】 多孔性シリカの空孔率が高くて、空孔径がナノメーターサイズであり、さらに構造中に特定量のSi-CH3 結合をもち、かつCH3 基の運動性が適度に抑制された多孔性シリカ薄膜。

Claim (excerpt)：

シリカ構造中に空孔を有する多孔性シリカ薄膜であって、空孔率が30〜80%、最大孔径が10nm以下であり、構造中に緩和時間が0.5秒〜10秒であるSi原子と結合したCH3 基を2重量%以上含有し、膜厚が0.1μmから10μmであることを特徴とする多孔性シリカ薄膜。

IPC (3)：

C01B 33/12 ,  C09D183/02 ,  H01L 21/768

FI (3)：

C01B 33/12 ,  C09D183/02 ,  H01L 21/90 K

F-Term (38)：

4G072AA28 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072CC13 ,  4G072FF09 ,  4G072GG01 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ11 ,  4G072KK01 ,  4G072LL06 ,  4G072LL07 ,  4G072LL11 ,  4G072LL15 ,  4G072MM01 ,  4G072NN21 ,  4G072PP17 ,  4G072RR05 ,  4G072TT30 ,  4G072UU01 ,  4J038AA011 ,  4J038HA441 ,  4J038JC32 ,  4J038NA07 ,  4J038NA11 ,  4J038NA12 ,  4J038NA14 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  5F033GG00 ,  5F033GG02 ,  5F033RR23 ,  5F033SS22 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX12