Pat
J-GLOBAL ID：200903093929795176

プラズマプロセス装置及びそのクリーニング方法

Inventor：
波多野 晃継

About 波多野 晃継


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (3)： 前田 弘 ,  竹内 祐二 ,  米田 圭啓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004171598
Publication number (International publication number)：2005064465
Application date： Jun. 09, 2004
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：
【課題】プラズマプロセス装置及びそのプラズマクリーニング方法について、被処理基板へのイオン衝撃を無くして成膜の質を向上させると共に、簡単な構成により処理室内のパーティクルを効率よく除去できるようにして、装置コストの低減を図る。【解決手段】プラズマプロセス装置Aは、処理室と、処理室の内部に設けられ、被処理基板4を保持する基板保持部23と、処理室の内部に基板保持部23に対向して設けられ、プラズマを発生させる複数の第1電極2a及び第2電極2bを有する複合電極28と、処理室の内部に材料ガスを供給するガス供給部とを備えている。そして、処理室の内部に形成されるプラズマ領域を増大又は減少させるプラズマ領域増減手段21と、プラズマ領域増減手段21により増大又は減少されたプラズマ領域のプラズマにより、処理室の内部をプラズマクリーニングするクリーニング手段23,28とを備えている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
処理室と、 上記処理室の内部に設けられ、被処理基板を保持する基板保持部と、 上記処理室の内部に上記基板保持部に対向して設けられ、プラズマを発生させる複数の放電電極を有する複合電極と、 上記処理室の内部に材料ガスを供給する材料ガス供給手段とを備えるプラズマプロセス装置であって、 上記処理室の内部に形成されるプラズマ領域を増大又は減少させるプラズマ領域増減手段と、 上記プラズマ領域増減手段により増大又は減少されたプラズマ領域のプラズマにより、上記処理室の内部をプラズマクリーニングするクリーニング手段とを備えている ことを特徴とするプラズマプロセス装置。
IPC (4)：
H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46
FI (4)：
H01L21/205 ,  C23C16/44 J ,  H05H1/46 M ,  H01L21/302 101H
F-Term (34)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030DA06 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA18 ,  4K030KA15 ,  4K030LA16 ,  4K030LA18 ,  5F004AA15 ,  5F004BA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB28 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD07 ,  5F045AE21 ,  5F045BB15 ,  5F045EB06 ,  5F045EH04 ,  5F045EH12 ,  5F045EH19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM