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J-GLOBAL ID：200903093931286262

プラズマ装置

Inventor： 樋口 佳也 ,  北澤 聡 ,  関 博文 ,  森本 裕一 ,  長峯 嘉彦 ,  竹森 聖 ,  梅垣 菊男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 春日 讓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999065231
Publication number (International publication number)：2000260596
Application date： Mar. 11, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】E×Bドリフトによるプラズマ密度の不均一を解消して、プラズマ密度の均一性を向上したプラズマ装置を提供することにある。【解決手段】マイクロ波導波管9の入射窓の近傍に磁石1a,...,1dを配置してプラズマを生成する。磁石1の発生する磁束密度ベクトルBとプラズマ中に発生する電界ベクトルEとの外積ベクトルE×Bの方向が、被処理物体の方向若しくはイオンビームの引き出し方向を向くように、磁石1a,...,1dを配置し、被処理物体の方向若しくはイオンビームの引き出し方向にプラズマを輸送する。

Claim (excerpt)：

マイクロ波によりプラズマを生成するプラズマ装置において、マイクロ波の導入部近傍に磁石を配置してプラズマを生成し、この磁石の発生する磁束密度ベクトルBとプラズマ中に発生する電界ベクトルEとの外積ベクトルE×Bの方向が、被処理物体の方向若しくはイオンビームの引き出し方向を向くように、上記磁石を配置し、被処理物体の方向若しくはイオンビームの引き出し方向にプラズマを輸送することを特徴とするプラズマ装置。

IPC (5)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (5)：

H05H 1/46 C ,  C23C 16/50 E ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

F-Term (20)：

4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030FA02 ,  4K030JA02 ,  5F004AA01 ,  5F004BA11 ,  5F004BA14 ,  5F004BB07 ,  5F004BB14 ,  5F004BB29 ,  5F004BD04 ,  5F045AA10 ,  5F045BB01 ,  5F045DP02 ,  5F045EB02 ,  5F045EH01 ,  5F045EH03 ,  5F045EH16 ,  5F045EH17 ,  5F045EH19