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J-GLOBAL ID：200903093934164192

水素分離膜の製造方法

Inventor： 重村 貞人 ,  末田 穰 ,  今井 哲也 ,  船田 徹
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991291389
Publication number (International publication number)：1993123548
Application date： Nov. 07, 1991
Publication date： May. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 水素分離膜の製造方法に関する。【構成】 金属多孔体を基材とし、この基材表面に第一層に電気Niめっき、第二層に電気Pdめっきを行った後、金属多孔体の裏面から真空吸引方式により無電解Pdめっきを行うか、又は、電気Pdめっきの後にガラスビーズ等によりPdめっき皮膜表面をブラストを行いPdめっきに発生する微細な割れを圧縮衝撃で変形させ表面に貫通する割れの数を減少させ、引き続き上記真空吸引方式で無電解Pdめっきを行って皮膜最表面の欠陥(割れ、気孔)を封じて無気孔の膜を形成する方法。

Claim (excerpt)：

金属多孔体表面にPd水素分離膜を形成する方法において、先ず金属多孔体表面に電気Niめっきを行い、次に同Niめっき層上に電気Pdめっきを行った後、上記金属多孔体の裏面から真空吸引しつつ、上記電気Pdめっき層上に無電解Pdめっきを行うことを特徴とする水素分離膜の製造方法。

IPC (2)：

B01D 71/02 500 ,  C01B 3/56