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J-GLOBAL ID：200903093939246472

同調可能マイクロ波装置

Inventor： ウィクボルグ,エルランド ,  ベンディク,オレスト ,  コルバーグ,エリック ,  ゲボルギアン,スパルタク
Applicant, Patent owner： テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997502984
Publication number (International publication number)：1999507786
Application date： Jun. 13, 1996
Publication date： Jul. 06, 1999
Summary：

【要約】本発明は、可変誘電率を有する誘電体材料の基板(101)を含む同調可能マイクロ波装置(10A)に関する。少なくとも1つの超伝導膜(102)が、誘電体基板(101)の少なくとも部分上に配置される。誘電体基板(101)は、非線形誘電体バルク材料から構成される。

Claim (excerpt)：

可変誘電率を有する誘電体材料の基板(101;701;801;901)と、該誘電体基板の少なくとも部分上に配置された少なくとも1つの超伝導膜(102;702a、702b;802;902、902’)と、を含む同調可能マイクロ波装置(10A、10B;20A、20B;30A、30B;40;50A、50b、50c;60;70)であって、前記誘電体基板(101;701;801;901)が非線形誘電体バルク材料から構成され、 それぞれの超伝導膜の前記誘電体基板と反対側の面上に導電層(103、103)が配置されていることを特徴とする、前記同調可能マイクロ波装置。

IPC (5)：

H01P 7/10 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA ,  H01P 1/18 ,  H01P 1/208 ZAA ,  H01P 3/08 ZAA

FI (5)：

H01P 7/10 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA Z ,  H01P 1/18 ,  H01P 1/208 ZAA A ,  H01P 3/08 ZAA