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J-GLOBAL ID：200903093948305023

ダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法

Inventor：
福井 靖樹

About 福井 靖樹

, 
山崎 修

About 山崎 修

, 
佐伯 尚哉

About 佐伯 尚哉


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社

, 
リンテック株式会社

About リンテック株式会社


Agent (4)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  高畑 ちより ,  鈴木 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004142274
Publication number (International publication number)：2005327789
Application date： May. 12, 2004
Publication date： Nov. 24, 2005
Summary：
【課題】 いわゆる「スタック型半導体装置」において、スタック時に発生するボンディングワイヤーの損傷を低減するとともに、半導体チップ同士を接着する接着剤層の厚みの精度不良に起因する半導体装置の高さのバラツキ、基板から最上層の半導体チップの表面までの高さのバラツキ、および最上層の半導体チップの傾き等を解消することを目的としている。【解決手段】 本発明に係るダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートは、 基材と、該基材上に剥離可能に積層されてなる粘接着剤層とからなり、 該粘接着剤層が、常温感圧接着性でありかつ熱硬化性を有し、熱硬化前の粘接着剤層の弾性率が1.0×103〜1.0×104Paであり、熱硬化前の粘接着剤層の120°Cにおける溶融粘度が100〜200Pa・秒であり、熱硬化前の粘接着剤層を120°Cで温度一定とした場合に、溶融粘度が最小値に達するまでの時間が60秒以下であることを特徴としている。【選択図】 図5
Claim (excerpt)：
基材と、該基材上に剥離可能に積層されてなる粘接着剤層とからなり、 該粘接着剤層が、常温感圧接着性でありかつ熱硬化性を有し、熱硬化前の粘接着剤層の弾性率が1.0×103〜1.0×104Paであり、熱硬化前の粘接着剤層の120°Cにおける溶融粘度 が100〜200Pa・秒であり、熱硬化前の粘接着剤層を120°Cで温度一定とした場合に、溶融 粘度が最小値に達するまでの時間が60秒以下であることを特徴とするダイシング・ダイボンド兼用粘接着シート。
IPC (8)：
H01L21/301 ,  C09J5/00 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00 ,  H01L21/52 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18
FI (7)：
H01L21/78 M ,  C09J5/00 ,  C09J7/02 Z ,  C09J201/00 ,  H01L21/52 E ,  H01L25/08 Z ,  H01L21/78 Y
F-Term (39)：
4J004AA01 ,  4J004AA10 ,  4J004AA11 ,  4J004AA12 ,  4J004AA13 ,  4J004AA15 ,  4J004AB01 ,  4J004AB05 ,  4J004AB06 ,  4J004CA05 ,  4J004CA06 ,  4J004CC02 ,  4J004CC03 ,  4J004CD01 ,  4J004DA04 ,  4J004DB03 ,  4J004FA05 ,  4J004FA08 ,  4J040DF041 ,  4J040DF051 ,  4J040EB021 ,  4J040EB091 ,  4J040EC001 ,  4J040EK031 ,  4J040FA131 ,  4J040FA241 ,  4J040JB02 ,  4J040JB07 ,  4J040JB09 ,  4J040LA06 ,  4J040NA20 ,  4J040PA23 ,  4J040PA30 ,  4J040PA32 ,  4J040PB16 ,  5F047BA33 ,  5F047BB03 ,  5F047BB13 ,  5F047BB16
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-179607   Applicant：住友金属鉱山株式会社, エヌチップインコーポレイテッド
  • 半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-016420   Applicant：シャープ株式会社
Cited by examiner (1)

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