フォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法および半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：荒船博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000310887
Publication number (International publication number)：2001163926
Application date： Oct. 11, 2000
Publication date： Jun. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】遠紫外線領域で高い透明性を有し、エッチング耐性及び耐熱性の優れたフォトレジスト単量体を提供する。【解決手段】フォトレジスト単量体は、下記式(2a)及び式(2b)の化合物の中から選択される。【化1】前記式(2a)及び式(2b)で、R1は酸に敏感な保護基であり、R2〜R4はH、又は酸に敏感な保護基であり、nは1〜3の中のいずれかの整数である。

Claim (excerpt)：

下記式(2a)及び式(2b)の化合物の中から選択されることを特徴とするフォトレジスト単量体。【化1】前記式(2a)および式(2b)で、R1は酸に敏感な保護基(acid labile protecting group)であり、R2〜R4はH、又は酸に敏感な保護基であり、nは1〜3の中のいずれかの整数である。

IPC (11)：

C08F 36/20 , C07C 69/34 , C07C 69/602 , C08F 4/04 , C08F 4/32 , C08K 5/00 , C08K 5/521 , C08K 5/59 , C08L 47/00 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (11)：

C08F 36/20 , C07C 69/34 , C07C 69/602 , C08F 4/04 , C08F 4/32 , C08K 5/00 , C08K 5/521 , C08K 5/59 , C08L 47/00 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

ポジ型感光性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-110769 Applicant：富士写真フイルム株式会社
特開昭56-101142
特開昭56-101143

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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