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J-GLOBAL ID:200903093959448209

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井桁 貞一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991193798
Publication number (International publication number):1993036865
Application date: Aug. 02, 1991
Publication date: Feb. 12, 1993
Summary:
【要約】【目的】 ソフトエラー対策用膜をチップ上に被着した半導体装置に関し,ソフトエラー対策用膜下側の素子への損傷を低減した高集積化デバイスの提供を目的とする。【構成】 半導体チップ上の少なくともメモリセル部を覆うフッ素樹脂膜を有するように構成する。また,半導体チップ上の少なくともメモリセル部と外部導出用パンプもしくはパッドの周辺部を覆うフッ素樹脂膜を有するように構成する。
Claim (excerpt):
半導体チップ上の少なくともメモリセル部を覆うフッ素樹脂膜を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01L 23/29 ,  H01L 23/31

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