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J-GLOBAL ID：200903093959784136

半導体素子の接続方法

Inventor： 長田 治 ,  谷 健次 ,  鈴木 悦四
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992219124
Publication number (International publication number)：1994069278
Application date： Aug. 18, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】 歩留りが高くかつ信頼性の高い半導体素子の接続方法を提供する。【構成】 平面治具15上に複数の導電粒子17を均一に散布し、接続電極5上に金属バンプ9が設けられた半導体素子11を前記の平面治具15に対して平行に押圧して金属バンプ9に導電粒子17を付着させ、導電粒子17を介して半導体素子11の金属バンプ9と配線基板4の接続パッド3とを圧着して、金属バンプ9と接続パッド3とを電気的に接続し、半導体素子11と配線基板4との間隙に絶縁性接着シート13を介挿して半導体素子11と配線基板4とを固着させる。

Claim (excerpt)：

平面上に複数の導電粒子を散布し、接続電極上に金属バンプが設けられた半導体素子を前記平面に対して平行に押圧して前記金属バンプに前記導電粒子を付着させ、前記半導体素子の金属バンプに付着した前記導電粒子を配線基板の接続パッドに圧接して、前記金属バンプと前記接続パッドとを前記導電粒子を介して電気的に接続し、前記半導体素子と前記配線基板との間隙に絶縁性接着剤を介挿して前記半導体素子と前記配線基板とを固着させることを特徴とする半導体素子の接続方法。