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J-GLOBAL ID：200903093972797972

磁界センサ

Inventor： 鈴木 英之 ,  篠浦 治 ,  浅川 幸雄 ,  宮内 大助
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 皿田 秀夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998357069
Publication number (International publication number)：2000180524
Application date： Dec. 16, 1998
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 量産性が良く、オフセットが小さく、高感度で小型な磁界センサを提供する。【解決手段】 所定の間隔を空けて配列された複数の磁気抵抗効果素子を有し、これらの磁気抵抗効果素子に対応するように所定の間隔を空けて配置された複数のバイアス磁石を有する磁界センサであって、前記複数のバイアス磁石は、保磁力が実質的に異なる2種の磁石体からなり、これら2種の磁石体が所定の間隔を空けて磁気抵抗効果素子の配列方向に沿って配置され、かつ複数の磁気抵抗効果素子にそれぞれ印加されるバイアス磁界の絶対値が実質的に等しくなるように配置されてなるように構成する。

Claim (excerpt)：

所定の間隔を空けて配列された複数の磁気抵抗効果素子を有し、これらの磁気抵抗効果素子に対応するように所定の間隔を空けて配置された複数のバイアス磁石を有する磁界センサであって、前記複数のバイアス磁石は、保磁力が実質的に異なる2種の磁石体からなり、これら2種の磁石体が所定の間隔を空けて磁気抵抗効果素子の配列方向に沿って配置され、かつ複数の磁気抵抗効果素子にそれぞれ印加されるバイアス磁界の絶対値が実質的に等しくなるように配置されてなることを特徴とする磁界センサ。

IPC (3)：

G01R 33/09 ,  G01D 5/245 ,  H01L 43/08

FI (4)：

G01R 33/06 R ,  G01D 5/245 R ,  H01L 43/08 B ,  H01L 43/08 Z

F-Term (18)：

2F077AA45 ,  2F077CC02 ,  2F077NN03 ,  2F077NN19 ,  2F077NN26 ,  2F077PP07 ,  2F077PP14 ,  2F077RR09 ,  2F077VV01 ,  2F077VV33 ,  2G017AA02 ,  2G017AB07 ,  2G017AB09 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017AD56 ,  2G017AD65 ,  2G017BA09