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J-GLOBAL ID：200903093983321546

半導体装置用導電部材、半導体装置用パッケージおよびそれらの製造方法

Inventor： 山田 智行
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 中島 司朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006090040
Publication number (International publication number)：2007266349
Application date： Mar. 29, 2006
Publication date： Oct. 11, 2007
Summary：

【課題】半導体素子近傍のリードが金属メッキされた半導体装置用導電部材において、金属メッキが変色するのを防止し、光源近傍における反射効率の低下を防ぐことが可能な半導体装置用導電部材を提供する。【解決手段】半導体装置に組み込まれ、半導体素子と電気的に接続され、前記半導体装置において、少なくとも一部が、金属塩化合物を含有する光透過性の樹脂14によって封止される半導体装置用リード11であって、前記少なくとも一部における、樹脂14に近接する領域に、前記金属塩化合物の金属よりも標準電極電位が小さい金属を含み、前記少なくとも一部における、樹脂14に近接する領域が、電子供与性基を有する化合物で被覆されているリード11。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

半導体装置に組み込まれ、半導体素子と電気的に接続され、前記半導体装置において、少なくとも一部が、金属塩化合物を含有する光透過性の樹脂によって封止される半導体装置用導電部材であって、 前記少なくとも一部における、前記樹脂に近接する領域に、前記金属塩化合物の金属よりも標準電極電位が小さい金属を含み、前記少なくとも一部における、前記樹脂に近接する領域が、電子供与性基を有する化合物で被覆されていることを特徴とする半導体装置用導電部材。

IPC (2)：

H01L 23/28 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01L23/28 A ,  H01L33/00 N ,  H01L23/28 D

F-Term (20)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA06 ,  4M109DA10 ,  4M109DB07 ,  4M109FA06 ,  4M109FA09 ,  4M109FA10 ,  4M109GA01 ,  5F041AA14 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA17 ,  5F041DA22 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA74 ,  5F041DB09 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11