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J-GLOBAL ID：200903094000895083

プラズマCVD装置およびプラズマCVD方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994117304
Publication number (International publication number)：1995316823
Application date： May. 31, 1994
Publication date： Dec. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】 残留有機成分や水素の含有量が少なく、緻密な膜質のセルフフロー特性に優れた平坦化絶縁膜を形成できるプラズマCVD装置およびプラズマCVD方法を提供する。【構成】 ヘリコン波プラズマ発生源を備えた液相CVD装置により、被処理基板1上の液化した堆積種に高フラックス密度の反応種を照射して成膜する。【効果】 従来の液相プラズマCVDに比較し、高い確率で反応種を供給するので優れた膜質の平坦化絶縁膜23が形成できる。ヘリコン波プラズマ発生源のソレノイドを間欠的に制御すれば、この効果は一層徹底される。これらの効果により、信頼性の高い高集積化半導体装置の製造が可能となる。

Claim (excerpt)：

プラズマCVDチャンバ内の被処理基板を堆積種の露点以下に冷却しうる基板ステージ冷却手段と、該プラズマCVDチャンバに連設したヘリコン波プラズマ発生源とを有することを特徴とする、プラズマCVD装置。

IPC (5)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 K