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J-GLOBAL ID：200903094000912557

シリコンウェハ内に埋込酸化層を形成するための方法、および半導体コンポーネント

Inventor： サルバトーレ・ユーゴ・カンピサーノ ,  ビート・ライネーリ
Applicant, Patent owner： コンソルツィオ・ペール・ラ・リケルカ・スラ・ミクロエレットローニカ・ネル・メッツォジオルノ
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995243271
Publication number (International publication number)：1996111453
Application date： Sep. 21, 1995
Publication date： Apr. 30, 1996
Summary：

【要約】【課題】 シリコンウェハ内に埋込酸化層を形成するための簡単かつ低コストであり、高品質な物質を獲得する方法を提供する。【解決手段】 シリコンウェハ内に埋込酸化層を形成するための方法および装置はいくつかのステップを含む。リセスがシリコンウェハに形成される。軽いイオンはシリコンウェハでリセスの深度よりも浅い深度に注入され、シリコンウェハに軽いイオンの気泡を形成する。軽いイオンはシリコンウェハから蒸発し、気泡の場所にキャビティを残す。キャビティはリセスを介して酸化され、シリコン酸化物の埋込層を形成する。

Claim (excerpt)：

シリコンウェハ内に埋込酸化層を形成するための方法であって、前記シリコンウェハにリセスを形成するステップと、前記リセスの深度よりも浅い深度で前記シリコンウェハに軽いイオンを注入し、前記シリコンウェハに前記軽いイオンの気泡を形成するステップと、前記シリコンウェハを介して前記軽いイオンを蒸発させ、前記気泡があったところにキャビティを残すステップと、前記リセスを介して前記キャビティを酸化し、前記シリコンウェハにシリコン酸化物の埋込層を形成するステップとを含む、方法。

IPC (3)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平4-253357