Pat

J-GLOBAL ID：200903094006466729

化合物半導体気相成長方法及びその装置

Inventor： 林 純
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992228182
Publication number (International publication number)：1993335246
Application date： Aug. 27, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】3一5族化合物半導体の気相成長を行なうに際して、界面に結晶組成およびキャリアの遷移領域の小さい、結晶性の良いヘテロエピタキシャル層を成長させる。【構成】基板ホルダ7aの周囲を囲むとともに基板8に5族成分含有ガスを吹き付けたり吸引したりする噴出口13及び吸引口14が先端部の内側に軸方向に並べて形成される円筒部材11を備え、ヘテロエピタキシャル層成長に伴うエピタキシャル成長用ガス及びドーピング用ガスの種類・流量の変更時に、円筒部材11の噴出口13より基板8上に噴出し、基板8の近傍を5族成分含有ガスで包み、反応管内の残留するエピタキシャル成長ガス及びドーピングガスから遮断し、これら残留するガスの影響を無くす。また、エピタキシャル成長させる際に、円筒部材11と基板ホルダ7aと相対的に移動させ、基板周辺に残留する5族成分含有ガスを下流側の吸引口14で吸引することにより、5族成分含有ガスに晒すことを無くしエピタキシャル成長には何ら影響を及ぼさないようにする。

Claim (excerpt)：

3-5族化合物半導体のエピタキシャル成長用ガス及びドーピングガスを一方向より流す反応管内の下流側に被成長基板を保持する基板ホルダを配置し、前記エピタキシャル成長用ガスおよびドーピングガスのガス種・流量変更切替え時に、5族成分含有ガスを前記被成長基板に噴出させ前記被成長基板をこの5族成分含有ガスで包み、切替えが終了し新たに供給されるガスによって成長及びドーピングが行なわれるときに放出された前記5族成分含有ガスを吸引して取り去ることを特徴とする化合物半導体気相成長方法。