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J-GLOBAL ID：200903094010945640

半導体レーザ素子およびその製造方法

Inventor： 種谷 元隆 ,  瀧口 治久 ,  猪口 和彦 ,  工藤 裕章 ,  奥村 敏之 ,  菅原 聰
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社 ,  光技術研究開発株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992271966
Publication number (International publication number)：1994177480
Application date： Oct. 09, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 所望の方向の直線偏光のみを選択性よく発振できる垂直共振器型面発光半導体レーザ素子を得る。【構成】 基板に垂直な方向にレーザ共振が生じる半導体レーザ素子において、光が発生する活性層に、光を閉じ込める複数の量子細線110が形成されている。この量子細線110の長手方向には、それと直交する方向に比べて大きな利得が生じる。よって、発生するレーザ光の偏光方向を、量子細線110の長手方向と一致させることができる。また、隣合う量子細線110の中心間距離が、LD素子内における光の波長以下とされている。よって、レーザ光の発振横モードに高次モードが発生することがない。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に活性層を含む複数の層を積層してなり、その積層方向にレーザ共振が生じる半導体レーザ素子であって、該活性層に、光を閉じ込める複数の量子細線を該基板表面に沿って一列に有する量子細線列が、基板の厚み方向に1行または2行以上形成され、該量子細線列の隣合う量子細線の中心間距離が半導体レーザ素子内でのレーザ光の波長以下である半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-283479
  
• 面発光レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-203383   Applicant：日本電信電話株式会社