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J-GLOBAL ID:200903094018979640
酸化物超電導導体およびその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
志賀 正武
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994184960
Publication number (International publication number):1996050822
Application date: Aug. 05, 1994
Publication date: Feb. 20, 1996
Summary:
【要約】【目的】 本願発明は、中間層上に酸化物超電導層を成膜する場合に、従来よりも基材の温度管理が容易であって、臨界電流密度が高い酸化物超電導導体およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本願発明は、基材Aと、この基材上に形成された中間層Bと、この中間層上に形成された酸化物超電導層Cとを具備してなる酸化物超電導導体において、前記基材Aが耐熱金属からなる多結晶構造であって、前記中間層BがY2O3で安定化されたイットリウム安定化ジルコニアからなり、前記中間層Bを構成するイットリウム安定化ジルコニア内にY2O3が、5.8モル%以上含有されてなるものである。
Claim (excerpt):
基材と、この基材上に形成された中間層と、この中間層上に形成された酸化物超電導層とを具備してなる酸化物超電導導体において、前記基材が耐熱金属からなる多結晶構造であって、前記中間層がY2O3で安定化されたイットリウム安定化ジルコニアからなり、前記中間層を構成するイットリウム安定化ジルコニア内にY2O3が、5.8モル%以上含有されてなることを特徴とする酸化物超電導導体。
IPC (5):
H01B 12/06 ZAA
, C01G 1/00 ZAA
, C01G 3/00 ZAA
, H01B 13/00 565
, C30B 29/22 501
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