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J-GLOBAL ID：200903094029337950

半導体レーザ素子および光ディスク装置

Inventor：
高橋 孝志

About 高橋 孝志


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998293105
Publication number (International publication number)：2000114661
Application date： Sep. 30, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】 可飽和吸収層のバンドギャップとキャリア寿命を制御して、自励発振を安定して動作させることの可能な半導体レーザ素子および光ディスク装置を提供する。【解決手段】 この半導体レーザ素子は、第1導電型の半導体基板40上に、第1導電型のクラッド層103,活性層50,第2導電型のクラッド層105が順次に積層されており、第2導電型のクラッド層105上に可飽和吸収層51が形成されている。ここで、可飽和吸収層51は、活性層50のバンドギャップとほぼ等しいか、または、わずかに小さいバンドギャップを有し、かつ、高濃度に窒素がドープされている。
Claim (excerpt)：
第1導電型半導体基板上に、第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層が順次に積層されており、前記第1導電型クラッド層と第2導電型クラッド層の一方、または両方に可飽和吸収層が形成されている自励発振型の半導体レーザ素子であって、前記可飽和吸収層は、活性層のバンドギャップとほぼ等しいか、またはわずかに小さいバンドギャップを有し、かつ、高濃度に窒素がドープされていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S 5/227 ,  G11B 7/125
FI (2)：
H01S 3/18 665 ,  G11B 7/125 A
F-Term (14)：
5D119AA12 ,  5D119BA01 ,  5D119FA05 ,  5D119FA20 ,  5D119HA40 ,  5D119NA04 ,  5F073AA13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA14 ,  5F073CB19 ,  5F073EA01 ,  5F073EA27
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-039404   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-008191   Applicant：古河電気工業株式会社
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-255421   Applicant：株式会社リコー
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