温度検出回路およびその試験方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西教圭一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996047553
Publication number (International publication number)：1997243467
Application date： Mar. 05, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 MOS製造プロセスで製造可能で、温度係数を容易に変えることができる温度検出回路と、実際に温度を変えることなく試験することができる温度検出回路の試験方法とを提供する。【解決手段】 PNP型バイポーラトランジスタ31,32,43,44は、コレクタがすべて負電源33に接続されているので、P型半導体基板をコレクタ、N-ウェル領域をベース、P+ 領域をエミッタとしたサブストレートPNPを用い、MOS製造プロセスで製造可能である。演算増幅回路40は、出力がPチャネルMOSトランジスタ33のゲート・ドレイン間を通じて負帰還され、PチャネルMOSトランジスタ34のドレイン電流ID は絶対温度Tに比例する。第4抵抗41の抵抗値を変えれば出力電圧VO の温度係数を変えることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板に集積され、温度に対応する出力を導出する温度検出回路であって、非反転入力および反転入力を備える演算増幅回路と、半導体基板の導電型式と同一の導電型式のコレクタおよびエミッタ領域を有し、コレクタが一方の電源に接続される第1バイポーラトランジスタと、第1バイポーラトランジスタと同一導電型に形成され、コレクタおよびベースが第1バイポーラトランジスタのコレクタおよびベースとそれぞれ共通接続され、エミッタが演算増幅回路の反転入力に接続される第2バイポーラトランジスタと、半導体基板の導電型式と同一の導電型式のチャネルを有し、ソースが他方の電源に接続され、ゲートが演算増幅回路の出力端子に接続される第1MOSトランジスタと、第1MOSトランジスタと同一導電型に形成され、ソースおよびゲートが第1MOSトランジスタのドレインおよびゲートにそれぞれ共通接続される第2MOSトランジスタと、第1および第2バイポーラトランジスタのベースに、一方の電源と他方の電源との間の電位を与える基準電圧回路と、第1バイポーラトランジスタのエミッタと演算増幅回路の非反転入力との間に接続される第1抵抗と、第1MOSトランジスタのドレインと第2バイポーラトランジスタのエミッタとの間に接続される第2抵抗と、第1MOSトランジスタのドレインと演算増幅回路の非反転入力との間に接続される第3抵抗とを含むことを特徴とする温度検出回路。

IPC (4)：

G01K 7/01 , G01K 1/14 , G01K 15/00 , H03F 1/30

FI (4)：

G01K 7/00 391 C , G01K 1/14 L , G01K 15/00 , H03F 1/30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開平4-270492
熱感知器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-150485 Applicant：ニッタン株式会社

Cited by examiner (2)

特開平4-270492
熱感知器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-150485 Applicant：ニッタン株式会社

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