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J-GLOBAL ID：200903094042106437
半導体光素子およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995072949
Publication number (International publication number)：1996274368
Application date： Mar. 30, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：
【要約】【目的】絶縁膜による効果的な電流狭窄構造を有し、かつ、電極との十分大きな接触面積を確保できる半導体光素子、およびそのような半導体光素子を容易に形成できる製造方法を提供する。【構成】半導体基板102の表面上に、ストライプ状の溝を有する誘電体膜112が形成され、このストライプ状の溝によって露出された上記半導体基板102の表面上に、半導体バッフア層103、半導体活性層104および半導体クラッド層105が順次積層され、上記半導体クラッド層105は、逆台形の断面形状を有している。【効果】半導体クラッド層105の断面形状が逆台形であるため、半導体キャップ層との接触面積を十分大きくなり、また、半導体活性層104の幅が絶縁膜112に設けられた溝によって規定されるため、半導体活性層104以外の部分に漏れる電流は効果的に抑制される。
Claim (excerpt)：
第1導電型を有する半導体基板と、当該半導体基板の表面上に形成されたストライプ状の開口部を有する誘電体膜と、上記開口部を介して露出された上記半導体基板上に順次積層して形成された、上記第1導電型を有する化合物半導体からなるバッフア層,当該バッフア層とは異なる化合物半導体からなる活性層および上記第1導電型とは逆の第2導電型を有する化合物半導体からなるクラッド層を少なくとも具備し、上記クラッド層の上辺の幅は上記開口部の下端部の幅より大きいことを特徴とする半導体光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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