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J-GLOBAL ID：200903094044768151

窒化物半導体発光素子とそれを含む光学装置

Inventor： 荒木 正浩 ,  津田 有三
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000287291
Publication number (International publication number)：2002100838
Application date： Sep. 21, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】 発光の色斑が少なくかつ発光効率の高い窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 窒化物半導体発光素子は、量子井戸層と障壁層とが交互に積層された量子井戸構造を有する発光層106を含み、その量子井戸層は少なくともInを含む窒化物半導体からなり、障壁層は少なくともAs、P、またはSbを含む窒化物半導体層からなることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

量子井戸層と障壁層とが交互に積層された量子井戸構造を有する発光層を含み、前記量子井戸層は少なくともInを含む窒化物半導体層からなり、前記障壁層は少なくともAs、P、またはSbを含む窒化物半導体層からなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (3)：

H01S 5/343 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 5/343 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C

F-Term (39)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF05 ,  4G077HA02 ,  5F041AA03 ,  5F041AA05 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA54 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041FF01 ,  5F041FF16 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB07 ,  5F073CB15 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29