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J-GLOBAL ID：200903094053617956

透明導電膜、その形成方法および透明導電膜の加工方法

Inventor： 樋口 勝敏 ,  澤田 雅人
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993259788
Publication number (International publication number)：1995114841
Application date： Oct. 18, 1993
Publication date： May. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ITO膜/Ag膜/ITO膜の3層構造からなる低抵抗の透明導電膜を提供しようとするものである。【構成】 ITO膜/Ag膜/ITO膜の3層構造からなり、真空下にて200〜500°Cで熱処理してなることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

インジウム-スズ酸化膜、銀膜およびインジウム-スズ酸化膜の3層構造からなり、真空下にて200〜500°Cで熱処理してなる透明導電膜。

IPC (3)：

H01B 13/00 503 ,  C01G 19/00 ,  C03C 17/36