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J-GLOBAL ID：200903094054611498

熱型赤外線センサ

Inventor： 内田 誠
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994150086
Publication number (International publication number)：1996015008
Application date： Jun. 30, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 熱型赤外線センサのダイアフラムに使う窒化シリコン膜をパタニングすることで、ダイアフラム強度を低下させることなく、薄膜の熱アイソレーションを向上させる。【構成】 犠牲層(ポリシリコン3)上に成膜した酸化シリコン膜4の上に、更に窒化シリコン膜5を成長させ、窒化シリコン膜5をパタニングする。窒化シリコン膜5は薄膜の中央部にあって、ヒートシンク(シリコン基板1)とは熱的に分離している。

Claim (excerpt)：

金属又は半導体の内の少なくとも一方でなるパターンを支持し、半導体のエッチング液に対し耐腐食性をもつ絶縁性の薄膜と、前記薄膜上にある赤外線吸収率の高い吸収層と、前記薄膜を周囲から支持している半導体基板とからなるダイアフラム構造を有する熱型赤外線センサにおいて、前記薄膜が、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを含む多層膜でなり、前記窒化シリコン膜は、前記ダイヤフラム構造における上部構造だけに設けられ、パタニングされていることを特徴とする熱型赤外線センサ。

IPC (2)：

G01J 1/02 ,  H01L 31/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-360588
  
• 赤外線センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-310187   Applicant：日本電気株式会社