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J-GLOBAL ID：200903094055033242
パターン状選択的銀の析出を利用する無電解めっきによる回路形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 稔 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998051606
Publication number (International publication number)：1999246977
Application date： Mar. 04, 1998
Publication date： Sep. 14, 1999
Summary：
【要約】【課題】 パターン間の絶縁性に優れ、レジストを使用することなく、パターン状に銀を析出させることができ、かつそれによって、優れたパターン状の無電解めっきを行なうことができる回路形成方法を提供する。【解決手段】 樹脂表面に、酸性基又は膨潤層を介して、銀イオンを樹脂に吸着させ、紫外線等の活性光線によって、パターン状で選択的に銀を析出させ、不要な銀イオンを除去し、次いで、無電解めっき処理を行なう。
Claim (excerpt)：
樹脂表面に酸性基を導入し、前記酸性基に銀イオンを吸着させ、前記樹脂表面にパターン状に活性光線を照射することにより、パターン状で選択的に銀を析出させ、次いで、未析出銀を除去した後、無電解めっき処理を行なうことを特徴とする回路形成方法。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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