Pat

J-GLOBAL ID：200903094063033111

低エネルギ電子ビームを使用した汚染物質破壊方法

Inventor： ユン - ヒー・サーリン ,  ウエルドン・エス・ウイリアムソン ,  フランクリン・エー・ドレザル ,  レロイ・ジェイ・ミラー ,  ジョン・ジェイ・バジョー ,  ジョン・ディー・ウイリアムズ
Applicant, Patent owner： ヒューズ・エアクラフト・カンパニー
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995022078
Publication number (International publication number)：1995251026
Application date： Feb. 09, 1995
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、種々の有機物および無機物汚染物質を破壊し、比較的コンパクトで、廉価な装置を使用し、使用者に対して安全な流体中の汚染物質減少方法を提供することを目的とする。【構成】 電子ビーム源32で電子ビームを発生し、流体中の汚染物質化合物の濃度を減少させるために汚染物質の化合物を含んでいるセル36内の流体を通って電子ビームを導くステップを含み、電子ビームは流体に入るときに約45〜55keVの平均注入エネルギを有することを特徴とする。電子ビームは約90〜110 keVキロ電子ボルトの平均エネルギで発生され、電子透過窓34を通って真空室外の汚染物質化合物を含む流体を前記のようなエネルギで照射する。

Claim (excerpt)：

汚染物質の化合物を含んでいる流体を提供し、電子ビームを発生し、流体中の汚染物質化合物の濃度を減少させるために流体を通って電子ビームを導くステップを含み、電子ビームは流体に入るときに約45〜55キロ電子ボルトの平均注入エネルギを有することを特徴とする流体中の汚染物質減少方法。

IPC (8)：

B01D 53/32 ZAB ,  B01D 53/34 ZAB ,  B01D 53/72 ,  B01D 53/50 ,  B01D 53/56 ,  B01D 53/74 ,  C02F 1/30 ,  C02F 1/58 ZAB

FI (4)：

B01D 53/34 ZAB ,  B01D 53/34 120 D ,  B01D 53/34 122 Z ,  B01D 53/34 129 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開昭61-164627
  
• 特開昭60-179123
  
• 特開昭61-238325
  
• 特開昭53-088656
  
• 特開昭60-175593
  
• 特公昭51-008636
  
• 特開昭51-119375