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J-GLOBAL ID：200903094074637531

薄膜形成方法

Inventor： 渡辺 美代子 ,  水島 公一 ,  伊藤 聡 ,  野崎 華恵
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995024190
Publication number (International publication number)：1996217595
Application date： Feb. 13, 1995
Publication date： Aug. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 絶縁性の基板上に結晶性の良好なBCN薄膜を形成できる薄膜形成方法を提供する。【構成】 六方晶系チッ化ホウ素(h-BN)からなる絶縁基板、又は導電性基材上に膜厚10nm以上のh-BN絶縁薄膜からなる中間層を形成した基板上に、1層以上のBx Cy Nz (ここでx,y,zは0〜1)で表される層状結晶構造の薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に1層以上のBx Cy Nz (ここでx,y,zは0〜1)で表される層状結晶構造の薄膜を形成するにあたり、前記基板として六方晶系チッ化ホウ素を用いることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (2)：

C30B 25/18 ,  C30B 29/38

FI (2)：

C30B 25/18 ,  C30B 29/38 B