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J-GLOBAL ID：200903094109180475

パターン形成方法

Inventor： 鳥海 実
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997074986
Publication number (International publication number)：1998268520
Application date： Mar. 27, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】短い露光波長で微細パターンを形成できるパターン形成方法を提供する。【解決手段】一般式(1)で示されるポリ(シルセスキオキサン)化合物と酸発生剤,架橋剤からなるレジスト薄膜を被加工基板上に形成し、上記薄膜を活性光線または放射線でパターン露光する。【化1】

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示されるポリ(シルセスキオキサン)化合物【化1】(但し、一般式(1)中R1 ,R2 は同一又は異なる有機基、nは重合度)を10〜90重量%,活性光線または放射線の照射により強酸を発生し得る化合物を0.01 〜20重量%,架橋剤を5〜60重量%含む感光性組成物からなるレジスト薄膜を被加工基板上に形成し、上記薄膜に活性光線または放射線を照射することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6)：

G03F 7/075 511 ,  C08L 83/04 ,  G03F 7/038 501 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312

FI (6)：

G03F 7/075 511 ,  C08L 83/04 ,  G03F 7/038 501 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/312 D ,  H01L 21/30 502 R