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J-GLOBAL ID：200903094111356513

絶縁膜形成方法及び半導体装置

Inventor： 山口 城 ,  福山 俊一 ,  中田 義弘 ,  鈴木 克己
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999084133
Publication number (International publication number)：2000273176
Application date： Mar. 26, 1999
Publication date： Oct. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】 低誘電率の絶縁膜を形成できる材料、及びこれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 側鎖に水素、アルキル基あるいは芳香環を有するシロキサン樹脂に環構造を含む有機化合物を添加、混合あるいは反応させることによって、絶縁膜中に分子サイズの空洞を形成し低誘電率の絶縁膜を得る。これを半導体装置の層間絶縁膜に用いることにより、伝搬遅延の少ない高速の半導体装置が得られる。

Claim (excerpt)：

側鎖に水素アルキル基あるいは芳香環を有するシロキサン樹脂に環構造を含む有機化合物を添加、混合あるいは反応することによって絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜形成方法。

IPC (4)：

C08G 77/00 ,  C08G 77/38 ,  C08L 83/04 ,  H01L 21/316

FI (4)：

C08G 77/00 ,  C08G 77/38 ,  C08L 83/04 ,  H01L 21/316 H

F-Term (24)：

4J002CP031 ,  4J002EJ016 ,  4J002GQ01 ,  4J035BA04 ,  4J035CA01M ,  4J035CA051 ,  4J035CA301 ,  4J035FB01 ,  4J035LA03 ,  4J035LB20 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG10 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BF27 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02