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J-GLOBAL ID：200903094136029762
ドライエツチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991244394
Publication number (International publication number)：1993055173
Application date： Aug. 29, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】同一のエッチング装置でSiN膜とPSG膜との二層膜を同時にエッチングして、工数を減少させることができると共に、良好なエッチング形状を形成することができる、ドライエッチング方法を提供する。【構成】SiN膜11上にフォトレジスト膜13のマスキングを施し、その上方からCF4 とHeとを同程度の割合で混合したガスで所定の圧力として上記SiN膜11をエッチングし、そのままPSG膜12が数千オングストローム除去されるまで同一ガスでエッチングを続け、爾後、上記CF4 の流量を減少させると共に、その分のCHF3 を流し込み同一圧力で上記PSG膜12をエッチングするようにしたものである。
Claim (excerpt)：
パッシベーションやダブルメタルの層間膜として使用されるSiN膜とPSG膜との二層膜のドライエッチング方法において、上記SiN膜上にフォトレジスト膜のマスキングを施し、その上方からCF4 とHeとを同程度の割合で混合したガスで所定の圧力として上記SiN膜をエッチングし、そのまま上記PSG膜が数千オングストローム除去されるまで同一ガスでエッチングを続け、爾後、上記CF4 の流量を減少させると共に、その分のCHF3 を流し込み同一圧力で上記PSG膜をエッチングするようにしたことを特徴とする、ドライエッチング方法。
IPC (2)：
H01L 21/302
, H01L 21/316
