Pat

J-GLOBAL ID：200903094141688243

酸化物半導体発光素子

Inventor： 齊藤 肇
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (3)： 山崎 宏 ,  前田 厚司 ,  仲倉 幸典
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003166151
Publication number (International publication number)：2005005421
Application date： Jun. 11, 2003
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：

【課題】発光の効率と発光の均一性に優れ、低電圧で動作する酸化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】このZnO半導体発光ダイオード素子10では、サファイア基板1上にi型ZnO発光層2、n型ZnO層3が順に積層され、n型ZnO層3上にn型のITO透明導電膜4が形成されている。この発光ダイオード素子10の積層構造によれば、バイアス電圧を印加しても電位障壁がキャリア注入を阻害せず、i型ZnO発光層2へ高効率にキャリアを注入できる。また、従来例のような異種半導体材料とのヘテロ接合ではなく、i型ZnO発光層2とn型ZnO層3とのZnO系半導体によるホモ接合でpn界面を形成しているので、ホール注入効率が高い。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に、順に、i型またはp型の導電型を有するZnO系半導体発光層と、n型ZnO系半導体層とが、少なくとも積層され、上記n型ZnO系半導体層上にn型の透明導電膜が形成されていることを特徴とする酸化物半導体発光素子。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 D

F-Term (11)：

5F041AA03 ,  5F041AA05 ,  5F041AA08 ,  5F041CA02 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA06 ,  5F041CA14 ,  5F041CA41 ,  5F041CA66 ,  5F041CA88