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J-GLOBAL ID：200903094148293880

酸化亜鉛積層薄膜体およびその製造方法

Inventor： 荒尾 浩三 ,  遠山 上 ,  園田 雄一 ,  宮本 祐介
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 敬介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000201862
Publication number (International publication number)：2002020884
Application date： Jul. 04, 2000
Publication date： Jan. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】 基体上にスパッタ法による酸化亜鉛薄膜を積層し、その上により厚い電析法による酸化亜鉛薄膜を積層した酸化亜鉛積層薄膜体において、膜厚方向の抵抗が充分に低い酸化亜鉛薄膜層を得ることができる酸化亜鉛積層薄膜体、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基体4002上にスパッタ法による酸化亜鉛薄膜4004を積層するとともに、その上に電析法による酸化亜鉛薄膜4005を積層してなる酸化亜鉛積層薄膜体4001であって、スパッタ法による酸化亜鉛薄膜4004に、抵抗値を低減するドーパントが含有されている。

Claim (excerpt)：

基体上にスパッタ法による酸化亜鉛薄膜を積層するとともに、その上に電析法による酸化亜鉛薄膜を積層してなる酸化亜鉛積層薄膜体において、前記スパッタ法による酸化亜鉛薄膜に、抵抗値を低減するドーパントが含有されていることを特徴とする酸化亜鉛積層薄膜体。

IPC (7)：

C23C 28/04 ,  C23C 14/08 ,  C25D 9/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/316 ,  H01L 31/04

FI (7)：

C23C 28/04 ,  C23C 14/08 C ,  C25D 9/04 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 31/04 M

F-Term (46)：

4K029AA02 ,  4K029AA25 ,  4K029BA49 ,  4K029BA64 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DA01 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029EA01 ,  4K029FA07 ,  4K029GA03 ,  4K029JA10 ,  4K044AA03 ,  4K044AB02 ,  4K044BA12 ,  4K044BB03 ,  4K044BC14 ,  4K044CA13 ,  4K044CA17 ,  5F051BA11 ,  5F051BA14 ,  5F051FA23 ,  5F051HA11 ,  5F053AA50 ,  5F053BB60 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053HH02 ,  5F053LL05 ,  5F053RR12 ,  5F058BA20 ,  5F058BB05 ,  5F058BB06 ,  5F058BC03 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BF42 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103HH01 ,  5F103HH05 ,  5F103KK03 ,  5F103LL04 ,  5F103RR05