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J-GLOBAL ID：200903094175204261

化合物半導体用電極材料

Inventor： 家近 泰 ,  小野 善伸 ,  高田 朋幸 ,  乾 勝美
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (1)： 久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996128299
Publication number (International publication number)：1997312273
Application date： May. 23, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】p型不純物をドープした3-5族化合物半導体用の良好なオーミック接触の得られる電極材料およびこれを用いた電極を提供して、該化合物半導体を用いたデバイスの駆動電圧の低減を可能とする。【解決手段】〔1〕p型不純物をドープした一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体用の電極材料において、該電極材料が少なくともCaと貴金属を含む金属であり、Caと貴金属の重量の合計が電極材料全体の重量の50%以上100%以下である3-5族化合物半導体用の電極材料。〔2〕p型不純物をドープした一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体用の電極において、該電極が該化合物半導体上に〔1〕記載の電極材料を用いて形成されてなる3-5族化合物半導体用の電極。

Claim (excerpt)：

p型不純物をドープした一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体用の電極材料において、該電極材料が少なくともCaと貴金属を含む金属であり、Caと貴金属の重量の合計が電極材料全体の重量の50%以上100%以下であることを特徴とする3-5族化合物半導体用の電極材料。

IPC (4)：

H01L 21/285 301 ,  H01B 1/16 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (4)：

H01L 21/285 301 Z ,  H01B 1/16 A ,  H01L 33/00 E ,  H01S 3/18