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J-GLOBAL ID：200903094180924167

縦形オーバーフローイメージセンサーの製造方法

Inventor： 浜崎 正治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小松 祐治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995120667
Publication number (International publication number)：1996046167
Application date： Feb. 15, 1984
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 縦形オーバーフローイメージセンサーの製造方法において、スメア、ブルーミングをより小さくする。【構成】 オーバーフロー方向の電荷の流れに対して障壁を成す第2導電型半導体領域2を高エネルギーイオン注入により形成し、その注入されたイオンが半導体表面から所定距離離れた位置に所定幅の分布を有するようにする。

Claim (excerpt)：

各セルの光電変換により生じた電子を蓄積する第1導電型の電荷蓄積領域と、それより下側の第1導電型半導体領域との間に上記電荷蓄積領域から深さ方向への電荷の流れに対する障壁を成す第2導電型半導体領域を設けた縦形オーバーフローイメージセンサーの製造方法において、上記第2導電型半導体領域を高エネルギーイオン注入により形成し、その注入されたイオンが半導体表面から所定距離離れた位置に所定幅の分布を有するようにすることを特徴とする縦形オーバーフローイメージセンサーの製造方法

IPC (2)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/265

FI (2)：

H01L 27/14 A ,  H01L 21/265 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-019481
  
• 特開昭58-125970